Detalles del producto

Región de interés eficiente y parametrización inicial del modelo
Número virtualmente ilimitado de picos
Enlace global y fijación de parámetros pico
Restricciones completas en todos los parámetros de pico del modelo
Guardar temas para la parametrización rápida del modelo
Formas de líneas analíticas en 2D: convolución gaussiana, lorentziana y voigt
Corregir la ponderación estadística de los residuos.
Análisis estadístico completo de los parámetros de ajuste máximo
Presentación gráfica y tabular de resultados de ajuste y residuos.
Se adapta a datos en unidades de energía (cm –1 , eV) o longitud de onda (nm)
Compara los parámetros de pico con la biblioteca editable por el usuario para gráficos y tablas de ángulo de hélice, diámetro y (n, m) distribución
Diseñado para los estándares ISO y ASTM para la identificación / cuantificación de SWNT semiconductores